Samsung: nuove memorie eMMC da 64GB

Written By Kom Limpulnam on Jumat, 16 November 2012 | 15.10

Samsung Electronics ha annunciato l'imminente avvio della produzione di soluzioni embedded multimedia card (eMMC) da 64GB impiegando il processo produttivo di classe 10 nanometri (tra i 19 e i 10 nanometri). Le memorie NAND da 64 gigabit sono entrate in produzione lo scorso mese.

Myungho Kim, vicepresidente Memory Marketing per Samsung Electronics, ha commentato: "Le nuove eMMC ad alta velocità rafforzano la leadership di Samsung nelle soluzioni di storage basate su memorie flash. Non vediamo l'ora di espandere la nostra lineup di soluzioni di memoria embedded con nuovi chip, perseguendo un'adozione a livello di sistema di processori applicativi ed altri componenti chiave che formino le fondamenta per le più avanzate piattaforme mobile. Questo ci permetterà di meglio rispondere alla domanda di tempestività sul mercato permettendo la progettazione di nuove caratteristiche per la prossima generazione di applicazioni mobile".

Le memorie embedded rappresentano un componente chiave nelle applicazioni mobile come smartphone e tablet. Le soluzioni eMMC ad elevate prestazioni e densità permettono agli utenti di accedere a contenuti multimediali di particolare spessore, come ad esempio i flussi video full HD sui loro dispositivi mobile e aiutano a offrire una migliore esperienza di utilizzo nell'esecuzione di giochi e applicazioni particolarmente esigenti.

I chip NAND a 64Gbit realizzati con processo di classe 10nm saranno impiegati per la realizzazione delle soluzioni eMMC Pro Class 2000 da 64GB. Le nuove memorie embedded superano i livelli prestazionali delle soluzioni Pro Class 1500 basate su interfaccia eMMC 4.5. Le nuove memorie eMMC saranno inviate il prossimo anno al JEDEC per l'adozione come standard del settore.

La nuova soluzione di memoria ha una velocità di scrittura casuale di 2000 IOPS e una velocità di scrittura casuale di 5000IOPS. In aggiunta le velocità di lettura e scrittura sequenziale sono di 20MB al secondo e di 50MB al secondo, ovvero 10 volte più veloci di una memoria esterna classe 10 che legge a 24MB/s e scrive a 12MB/s.


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